| 发明名称 | 一种LED外延结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种LED外延结构，包括依次设有的衬底层、过渡层、第一半导体层、第二半导体层、多量子阱层和第三半导体层，在所述多量子阱层与第二半导体层连接处设有第一层量子阱。由于设有第一层量子阱，外延结构工作电压将会下降0.15～0.25V，发光效率将提高10％以上。这样更有利于电子的注入速度与效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102487114A | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN201010572249.1 | 申请日期 | 2010.12.03 |
| 申请人 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 发明人 | 艾常涛;靳彩霞;董志江 |
| 分类号 | H01L33/04(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/04(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人 | 杨立 |
| 主权项 | 一种LED外延结构，包括依次设有的衬底层、过渡层、第一半导体层、第二半导体层、多量子阱层和第三半导体层，其特征在于，所述多量子阱层与第二半导体层连接处为量子阱。 | ||
| 地址 | 430205 湖北省武汉市东湖高新技术开发区光谷一路8号 | ||