| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种针对温度变化的可靠性较高的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具有：冷却器（101），具有由金属基底（1）形成的主面；被接合层（3a、3b），隔着接合层（2a、2b）固定在金属基底（1）上；绝缘层（4a、4b），固定在被接合层（3a、3b）上并且以有机树脂为母材；金属层（5a、5b），设置在绝缘层（4a、4b）上；半导体元件（7a、7b、7c），设置在金属层（5a、5b）上。包括被接合层（3a、3b）、绝缘层（4a、4b）、金属层（5a、5b）的层叠体按一个或多个半导体元件（7a、7b、7c）被分割并且隔着接合层（2a、2b）固定在金属基底（1）上。 | ||
| 申请公布号 | CN102487053A | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN201110260135.8 | 申请日期 | 2011.09.05 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 菊池正雄;碓井修 |
| 分类号 | H01L23/373(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/373(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;王忠忠 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具有：冷却器，具有由金属基底形成的主面；被接合层，隔着接合层固定在所述金属基底上；绝缘层，固定在所述被接合层上并且以有机树脂为母材；金属层，设置在所述绝缘层上；以及半导体元件，设置在所述金属层上，包括所述被接合层、所述绝缘层、所述金属层的层叠体按一个或多个所述半导体元件被分割并且隔着所述接合层固定在所述金属基底上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||