| 发明名称 | 铜互连结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种铜互连结构及其形成方法，所述铜互连结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上覆盖有第一介质层，所述第一介质层上形成有第一开口；在所述第一开口中填充金属铜，形成铜栓塞，所述铜栓塞的表面与所述第一介质层的表面齐平；对所述第一介质层进行刻蚀，去除与所述铜栓塞的侧壁相接的部分第一介质层，在所述铜栓塞和第一介质层之间形成空隙；形成第二介质层，覆盖所述第一介质层和铜栓塞的表面并密封所述空隙；在所述铜栓塞上方的第二介质层上形成第二开口，所述第二开口的宽度小于等于所述铜栓塞的宽度，所述开口的底部暴露出所述铜栓塞；在所述第二开口中填充钴钨磷。本发明有利于避免金属离子扩散进入介质层，提高可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102487038A | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN201010573225.8 | 申请日期 | 2010.12.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 张海洋;胡敏达 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/288(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种铜互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上覆盖有第一介质层，所述第一介质层上形成有第一开口；在所述第一开口中填充金属铜，形成铜栓塞，所述铜栓塞的表面与所述第一介质层的表面齐平；对所述第一介质层进行刻蚀，去除与所述铜栓塞的侧壁相接的部分第一介质层，在所述铜栓塞和第一介质层之间形成空隙；形成第二介质层，覆盖所述第一介质层和铜栓塞的表面并密封所述空隙；在所述铜栓塞上方的第二介质层上形成第二开口，所述第二开口的宽度小于等于所述铜栓塞的宽度，所述开口的底部暴露出所述铜栓塞；在所述第二开口中填充钴钨磷。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||