| 发明名称 | 具有完全独立的部分阵列刷新功能的动态随机存取存储器 | ||
| 摘要 | 一种动态随机存取存储器设备包括多个存储器子块。每一子块具有多个字线，每一字线连接多个数据存储单元。独立进行部分阵列自刷新(PASR)配置设置。根据所述PASR设置，寻址存储器子块用于刷新。PASR设置由存储器控制器做出。可以选择子块地址的任意一种组合。因此，完全独立刷新存储器子块。用于数据保持的用户可选择的阵列提供有效的存储器控制编程，特别适于低功率移动应用。 | ||
| 申请公布号 | CN101432818B | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN200780015485.X | 申请日期 | 2007.03.28 |
| 申请人 | 莫塞德技术公司 | 发明人 | 金镇祺;吴学俊 |
| 分类号 | G11C11/406(2006.01)I;G11C11/403(2006.01)I;G11C8/12(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/406(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇;姜华 |
| 主权项 | 一种动态随机存取存储器(DRAM)设备，包括：M个存储器子块，M为大于1的整数，每一子块具有多个字线，每一字线连接多个数据存储单元，通过刷新操作刷新这些单元；以及部分阵列自刷新配置寄存器(PASR)，用于在自刷新模式中单独控制M个存储器子块的每一个的刷新；命令控制器，用于接收命令信号并向PASR提供配置控制时钟，其中PASR包括用于锁存从M个输入引脚输入的M位刷新数据的M个触发器。 | ||
| 地址 | 加拿大安大略省 | ||