Verfahren zum Wachsen eines P-SiC-Halbleitereinkristalls und P-SiC-Halbleitereinkristall

摘要

Verfahren zum Wachsen eines p-SiC-Halbleitereinkristalls, mit den Schritten: Präparieren einer Lösung durch Zugabe von C, Al und N zu einer Si-Schmelze derart, dass die Menge von zugegebenem Al größer als die von zugegebenem N ist; und Wachsen des p-SiC-Halbleitereinkristalls auf dem SiC-Einkristallsubstrat aus der Lösung.