| 发明名称 | 硅晶片背面的封装结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅晶片背面的封装结构，其包含有一半导体基材以及一多层结构层；多层结构层设于半导体基材的背面，且多层结构层是由一非晶硅层(Amorphous Silicon)以及一氧化层(如二氧化硅层)所组合而成。通过非晶硅层表面的晶格方向散乱的特性，使本发明的硅晶片背面的封装结构能够有效地减少硅结节(Si Nodule)现象的产生，并提升晶片制造时的成品率及品质。 | ||
| 申请公布号 | CN102487072A | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN201010577087.0 | 申请日期 | 2010.12.02 |
| 申请人 | 合晶科技股份有限公司 | 发明人 | 邱恒德;吴俊泰;林东一 |
| 分类号 | H01L29/04(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;靳强 |
| 主权项 | 一种硅晶片背面的封装结构，包括：一半导体基材；一多层结构层，其设于半导体基材的底面，且该多层结构层包含一非晶硅层与一氧化层。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||