| 发明名称 | SOC架构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种SOC架构及其制造方法，包括半导体衬底，基于所述半导体衬底形成的第一半导体器件层，覆盖所述第一半导体器件层的第一介电层、及位于第一介电层上的第一互连层，还包括：基于半导体材料形成的至少一层第二半导体器件层，位于所述第一互连层上，通过所述第一互连层与所述第一半导体器件层电连接，从而可以降低SOC的成本，增强SOC的功能。 | ||
| 申请公布号 | CN102487065A | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN201010569007.7 | 申请日期 | 2010.12.01 |
| 申请人 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | 发明人 | 王志玮;毛剑宏;唐德明 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种SOC架构，包括半导体衬底，基于所述半导体衬底形成的第一半导体器件层，覆盖所述第一半导体器件层的第一介电层、及位于第一介电层上的第一互连层，其特征在于，还包括：基于半导体材料形成的至少一层第二半导体器件层，位于所述第一互连层上，通过所述第一互连层与所述第一半导体器件层电连接。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室 | ||