一种利用蓝光芯片激发下转换荧光体的近红外二极管

摘要

本实用新型涉及一种利用蓝光芯片激发下转换荧光体的近红外二极管。该近红外二极管包括衬底、蓝光芯片、红外下转换发光层和/或与之配合的蓝光滤波层及封装层。本实用新型采用GaInN蓝光芯片，无毒无污染，采用的下转换荧光体具有接近200%的量子转换效率。在蓝光芯片所发射的蓝光激发下，下转换红外荧光体具有高效率的红外光发射，发射的近红外光波长在900~1100nm，中心波长在980nm。该近红外二极管环境友好，容易大规模工业化生产,成本低廉，节能环保，并能提高近红外二极管的发光效率，在红外遥控、红外探测、光纤通信、环境监控、生物成像和生物医药等方面有着广泛的应用前景，并能极大地拓展蓝光芯片的应用市场。

主权项

一种利用蓝光芯片激发下转换荧光体的近红外二极管，包括支架、位于支架上的衬底、设于所述衬底上的蓝光芯片和封装层，所述衬底和蓝光芯片均与贯穿封装层的导线相连，其特征在于，所述近红外二极管还包括设于蓝光芯片之上的红外下转换发光层。