一种防止静电放电的输入电阻及制造方法

摘要

一种防止静电放电的输入电阻及制造方法，涉及防静电放电电阻领域，采用自对准多晶硅化合物阻挡层覆盖着的多晶硅层和重掺杂N型有源区层用于防止静电防电的电阻。本发明的电阻结构不仅有触发充电器件模式的静电放电脉冲，也不会由于烧坏结点或融化金属而造成半导体器件的损坏。

主权项

一种防止静电放电的输入电阻，其特征在于，其包括：‑重掺杂N型有源区和轻掺杂P型阱结构的电阻结构，其包括重掺杂N型有源区和轻掺杂P型阱，其中，所述重掺杂N型有源区位于所述轻掺杂P型阱中，所述重掺杂N型有源区和轻掺杂P型阱形成反偏二极管结构；‑多晶硅层和自对准多晶硅化合物阻挡层结构的电阻结构，其包括多晶硅层和自对准多晶硅化合物阻挡层，其中，所述自对准多晶硅化合物阻挡层位于所述多晶硅层上；其中，所述重掺杂N型有源区和所述多晶硅层通过金属层连接。