Verfahren zur Wasserstoffpassivierung von Halbleiterschichten
摘要
<p>Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Wasserstoffpassivierung von Halbleiterschichten, bei dem die Passivierung durch Einsatz einer Lichtbogenplasmaquelle erfolgt, die nach dem Verfahren hergestellten passivierten Halbleiterschichten und ihre Verwendung.</p>
