| 摘要 |
Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halteplatte für eine elektrostatische Haltevorrichtung mit guter Produktivität angegeben, die vom ersten Mal des Einsatzes der elektrostatischen Haltevorrichtung zu einer neuen Verwendung an frei von schlechtem Lösen eines Wafers (W) ist, der ein zu bearbeitendes Substrat ist. Das Verfahren zur Herstellung einer Halteplatte (2) für die elektrostatische Haltevorrichtung (ES), die aus einem dielektrischen Körper zum Bedecken einer Fläche des Haltevorrichtungshauptteils (1) mit Elektroden (3a, 3b) gebildet ist, enthält die folgenden Schritte: Erhalten eines gesinterten Körpers durch Formpressen von Rohmaterialpulver (oder Rohmehl) zu einer vorgegebenen Form und anschließendes Sintern derselben; Ausbilden einer Oberfläche des gesinterten Körpers, die in Kontakt mit einem anzuziehenden Substrat kommen wird, mittels Polieren zu einer vorgegebenen Oberflächenrauheit und Ebenheit; und Durchführen von Strahlbearbeitung zum selektiven Entfernen nur von abtrennbereiten Partikeln, die als Ergebnis des Polierens auf der Oberfläche entstehen.
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