| 发明名称 | 栅极氧化层的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种栅极氧化层的形成方法，包括：提供衬底，通过热氧化工艺，在所述衬底上形成栅极氧化物层，其中，所述热氧化工艺的反应气体为至少包含有氘气的混合气体。本发明通过在栅极氧化层的热氧化生长过程中引入氘元素，饱和界面态内的硅悬挂键，形成结合较强的硅氘键，以减小位于界面态内的硅悬挂键，或者取代硅氢键的氢，以形成结合较强的硅氘键。同时硅-氘键能大于所述硅-氢键能，在半导体工艺环境下，所述硅-氘键不易因外部的应力造成断键，进一步减少位于界面态内的硅悬挂键，减少界面缺陷，进而抑制热电子效应。 | ||
| 申请公布号 | CN102486999A | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN201010569357.3 | 申请日期 | 2010.12.01 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 何永根 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种栅极氧化层的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，采用热氧化工艺在所述衬底上形成栅极氧化物层，其中，所述热氧化工艺的反应气体为至少包含有氘气的混合气体。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||