发明名称 |
利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法,其利用所有腔体排成一直线的多腔体的连续式真空溅镀设备,先对金属、陶瓷、玻璃、塑料件、镁铝金或其它材质制的工件的表面进行表面清洁、活化处理,然后在该工件的表面上依序形成致密层和保护层,并在该工件在进入一腔体时,另一工件则已进入该腔体的前一个腔体。 |
申请公布号 |
CN101994089B |
申请公布日期 |
2012.06.06 |
申请号 |
CN200910168588.0 |
申请日期 |
2009.08.25 |
申请人 |
锦兴光电股份有限公司 |
发明人 |
张正杰;刘兴藻 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
梁挥;祁建国 |
主权项 |
一种利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法,其特征在于,包括下列步骤:a)使该工件进入该连续式真空溅镀设备的一进料腔体;b)使该工件从该进料腔体继续进入至该真空溅镀设备的一第一暂存腔体;c)使该工件从该第一暂存腔体继续进入至该真空溅镀设备的一清洁腔体,于该清洁腔体内通入适当的Ar气体,且以3~5W/cm2的能量激发Ar气体成为等离子而对该工件的表面进行清洁、活化处理;d)使该工件从该清洁腔体继续进入至该真空溅镀设备的一第二暂存腔体;e)使该工件从该第二暂存腔体继续进入该真空溅镀设备的具有一硅靶材的一第一溅镀腔体,于该第一溅镀腔体内通入适当的Ar、N2、O2气体,且以3~5W/cm2的能量激发Ar成为等离子,并对该硅靶材进行轰击,以在该工件的表面上形成一致密层;f)使该工件从该第一溅镀腔体继续进入该真空溅镀设备的一第三暂存腔体;g)使该工件从该第三暂存腔体继续进入该真空溅镀设备的具有一由氟化物烧结而成的陶瓷靶材的一第二溅镀腔体,于该第二溅镀腔体内通入适当的Ar气体,且以3~5W/cm2的能量激发Ar气体成为等离子,并对所述由氟化物烧结而成的陶瓷靶材进行轰击,以在该工件的该致密层上形成一保护层;h)使该工件从该第二溅镀腔体继续进入该真空溅镀设备的一第四暂存腔体;以及i)使该工件从该第四暂存腔体继续进入该真空溅镀设备的一出料腔体。 |
地址 |
中国台湾新竹县湖口乡光复北路73号 |