发明名称 |
高取向碳纳米管薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种高取向碳纳米管薄膜的制备方法,制备碳纳米管溶液并铺展到基片上制备,其特征在于碳纳米管溶液铺展到基片上时施加高压电场。通过施加高压电场、使用旋涂法或提拉法实现了碳纳米管的高取向排列,薄膜性能好,导电率提高了2~20倍,适用于单壁碳纳米管薄膜和高取向多壁碳纳米管薄膜的制备。 |
申请公布号 |
CN101913596B |
申请公布日期 |
2012.06.06 |
申请号 |
CN201010247437.7 |
申请日期 |
2010.08.08 |
申请人 |
山东理工大学 |
发明人 |
刘俊成;张金玲 |
分类号 |
C01B31/02(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01)I |
代理机构 |
青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 |
代理人 |
马俊荣 |
主权项 |
一种高取向碳纳米管薄膜的制备方法,制备碳纳米管溶液并铺展到基片上制备,其特征在于碳纳米管溶液铺展到基片上时施加高压电场,高压电场控制在20~1000kV/m,高压电场施加时间为0.1秒~100小时,其中:碳纳米管水溶液的制备方法如下:(1)将碳纳米管在强酸中超声处理0.1~100小时,经洗涤、过滤和干燥得到带有羟基和羧基的功能化碳纳米管;(2)将功能化碳纳米管与去离子水共混,超声处理0.1~100小时,得到分散性很好的碳纳米管水溶液。 |
地址 |
255086 山东省淄博市高新技术产业开发区高创园D座1012室 |