发明名称 Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilms aus Blei-Zirkonat-Titanat, elektronisches Bauteil mit dem Dünnfilm und Verwendung des Bauteils
摘要 Ein Verfahren zum Herstellen des Dünnfilms aus Blei-Zirkonat-Titanat in 111-orientierter Perovskit-Struktur weist die Schritte auf: Bereitstellen eines Substrats mit einer Substrattemperatur von über 450°C und eines Blei-Targets, eines Zirkon-Targets und eines Titan-Targets; Aufbringen des Dünnfilms durch Sputtern von Blei, Zirkon und Titan von den jeweiligen Targets auf das Substrat, wobei die gesamte Abscheiderate von Blei, Zirkon und Titan größer als 10 nm/min ist, die Abscheiderate von Zirkon derart gewählt wird, dass die atomare Konzentration von Zirkon bezogen auf die atomare Konzentration von Zirkon zusammen mit Titan im Dünnfilm zwischen 0,2 und 0,3 liegt, und die Abscheiderate von Blei in Abhängigkeit der Substrattemperatur und der gesamten Abscheiderate von Blei, Zirkon und Titan so niedrig gewählt wird, dass ein Röntgendiffraktometerdiagramm des 111-orientierten Blei-Zirkonat-Titanats im Bereich des Beugungswinkels von 33 bis 35,5° einen signifikanten Spitzenwert (19) hat; und Fertigstelle des Dünnfilms.
申请公布号 DE102011000752(B3) 申请公布日期 2012.06.06
申请号 DE20111000752 申请日期 2011.02.15
申请人 PYREOS LTD. 发明人 CONWAY, NEIL;GIEBELER, CARSTEN, DR.
分类号 C23C14/08;C04B35/491;C23C14/34;C23C14/54 主分类号 C23C14/08
代理机构 代理人
主权项
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