Half-tone phase shift blankmask, half-tone phase shift photomask and manutacturing methods of the same

摘要

하프톤형 위상반전 블랭크 마스크, 하프톤형 위상반전 포토 마스크 및 그의 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크는 투명 기판, 위상반전막, 금속막 및 레지스트막이 순차적으로 적층되어 이루어진다. 여기에서 위상반전막은 막을 구성하는 원소 중에서 적어도 하나의 원소의 조성비가 막의 깊이 방향으로 연속적으로 변하는 구간인 성분변화구간을 갖는다. 이때 위상반전막의 두께 방향으로 조성비가 변하는 원소는 성분변화구간에서 두께 방향으로 함유량의 차이가 3 at%보다 크거나 같으며, 성분변화구간의 두께는 50Å보다 작거나 같다. 본 발명에 따르면, 위상반전막이 두께 방향으로 서로 다른 조성비를 가지도록 함으로써, 위상반전막의 접착력, 파티클, 핀홀, 내화학성, 내노광성, 잔류응력, 면저항 특성이 우수한 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크의 제조가 가능하다.