METHOD FOR MAKING THIN-FILM SEMICONDUCTORS BASED ON I-III-VI<SB>2</SB> COMPOUNDS, FOR PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS

摘要

La présente invention concerne la fabrication de CIGS en couches minces. On dépose sur substrat une couche de stoechiométrie voisine de CuInSe2, par électrochimie. On effectue ensuite un recuit rapide de cette couche à partir d'une source de lumière avec des impulsions de puissance suffisante pour recristalliser le CIS. Avantageusement, les éléments électrodéposés sont pré-mélangés. On obtient après l'étape de dépôt une matrice homogène qui peut supporter de brusques montées en température pendant le recuit rapide.