发明名称 System and Method of Dosage Profile Control
摘要 <p>선량 프로파일을 제어하기 위한 시스템과 방법이 개시된다. 일 실시에는 웨이퍼를 그리드 어레이의 성분들로 분리하는 단계, 및 다른 영역들 사이의 토롤로지 차를 보상하는 시험을 토대로 그리드 성분들의 각각에 원하는 선량 프로파일을 할당하는 단계를 포함한다. 원하는 선량은 방향 선량성분들로 분해되고, 방향 선량 성분들은 이온 주입기를 위한 이온 빔의 주사 속도들로 변환된다. 속도들은 이온 주입기에 반영되어 웨이퍼 대 빔 속도(wafer-to-bean velocities)를 제어하고, 그에 의해 이온주입을 제어할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101141899(B1) 申请公布日期 2012.06.04
申请号 KR20100084313 申请日期 2010.08.30
申请人 发明人
分类号 H01L21/265 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
地址