首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 HARD MASK COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME
摘要 <p>본 발명은 반도체 소자 제조 공정 중, 주로 193 nm ArF 광원을 이용한 리소그라피용 포토레지스트의 초미세 패턴 형성 공정에서, 기존의 BARC 및 SiON 의 2층을 대체하거나 BARC, SiON, 및 비정질 탄소의 3층을 대체할 수 있는 하드마스크용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.</p>
申请公布号 KR101150533(B1) 申请公布日期 2012.06.04
申请号 KR20050058193 申请日期 2005.06.30
申请人 发明人
分类号 G03F7/004;G03F7/075 主分类号 G03F7/004
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com