发明名称 在基材上形成穿导孔之方法
摘要 本发明系关于在基材上形成穿导孔之方法。该在基材上形成穿导孔之方法包括:(a)提供一基材,该基材具有一第一表面及一第二表面;(b)形成一开槽于该基板之第一表面,该开槽具有一侧壁及一底面;(c)形成一第一导电金属于该开槽之该侧壁与该底面,而形成一中心槽;(d)形成一中心绝缘材料于该中心槽;(e)形成一环槽于该基材,该环槽系围绕该第一导电金属;(f)形成一第一绝缘材料于该环槽内;及(g)去除部分该基材之第二表面,以显露该第一导电金属、该中心绝缘材料及该第一绝缘材料。藉此,可以在穿导孔内形成较厚之绝缘材料,而且该绝缘材料在该穿导孔内并不会有厚度不均匀的问题。
申请公布号 TWI365483 申请公布日期 2012.06.01
申请号 TW096146101 申请日期 2007.12.04
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 高雄市楠梓加工区经三路26号 发明人 王盟仁
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 蔡东贤 台北市松山区敦化北路201号7楼;林志育 高雄市前镇区复兴四路12号9楼之13
主权项
地址 高雄市楠梓加工区经三路26号