| 摘要 |
本发明提供一种双电荷储存节点记忆体装置(50)以及其制造方法。在一个实施例中，形成介电栓塞(dielectric plug)(70)，该介电栓塞(70)包括：凹入半导体基板中的第一部分(72)、与延伸于该基板上方之第二部分(74)。形成半导体材料层(82)覆于该第二部分上。形成第一层状结构(layered structure)(104)覆于该介电栓塞之该第二部分的第一侧上，且形成第二层状结构(106)覆于第二侧上，各该层状结构覆于该半导体材料层上，并且包括位在第一介电层(84)与第二介电层(102)之间的电荷储存层(86)。离子系植入于该基板中以形成第一位元线(94)与第二位元线(96)，以及将导电材料层(110)沈积与图案化，以形成覆于该介电栓塞和该第一与第二层状结构上的控制闸极(control gate)。 |
