发明名称 |
制作邻接接触体之半导体制程与具有邻接接触体之半导体装置 |
摘要 |
本发明提出一种制作邻接接触体之半导体制程,包含以下步骤:提供一基体,此基体上具有至少两个邻接之电晶体闸极;对该两电晶体闸极间的区域,全面进行斜角度离子植入,形成第一传导型之淡掺杂区;在该两电晶体闸极间的区域,形成第一传导型和第二传导型之浓掺杂区,并以第二传导型之浓掺杂区盖过部分第一传导型之淡掺杂区,且以第二传导型之浓掺杂区将第一传导型之浓掺杂区分隔;沉积介电层;以及在该介电层中形成至少一个邻接接触体,此邻接接触体同时接触受分隔之第一传导型之浓掺杂区。 |
申请公布号 |
TWI365489 |
申请公布日期 |
2012.06.01 |
申请号 |
TW095147874 |
申请日期 |
2006.12.20 |
申请人 |
立錡科技股份有限公司 新竹县竹北市台元街20号5楼 |
发明人 |
苏宏德;杨清尧;詹前陵 |
分类号 |
H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/28 |
代理机构 |
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代理人 |
任秀妍 新竹市光复路2段481号9楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹县竹北市台元街20号5楼 |