| 摘要 |
依据本发明之范例实施例，位于基板(104)上方之场效电晶体(FET)包括位于该基板(104)中之通道(112)。该FET更进一步包括位于该通道(112)上方之第一闸极介电质(116)，其中，该第一闸极介电质(116)具有第一热膨胀系数。该FET复包括位于该第一闸极介电质(116)上方之第一闸极电极(114)，其中，该第一闸极电极(114)具有第二热膨胀系数，且其中，该第二热膨胀系数系不同于该第一热膨胀系数，以造成该FET中载子移动率之增加。举例来说，该第二热膨胀系数可大于该第一热膨胀系数。该载子移动率之增加可由例如在该通道(112)中产生之拉伸应变所造成。 |
