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发明名称
处理方法及处理系统
摘要
本发明之课题,系提供利用散射测量法对经过特定处理后之被处理体表面构造实施非破坏之正确评估之处理方法及处理系统。;处理系统1系具有减压处理装置10、液处理装置20、构造判别装置30、以及系统控制装置40。减压处理装置10系将阻剂图案当做遮罩对晶圆实施蚀刻处理。该蚀刻处理导致晶圆表面附着有聚合物等之不要部位。液处理装置20系用以除去附着于晶圆表面之不要部位。构造判别装置30系利用椭面测量法等散射测量法判别已除去不要部位之晶圆之表面构造。
申请公布号
TWI365493
申请公布日期
2012.06.01
申请号
TW093117748
申请日期
2004.06.18
申请人
东京威力科创股份有限公司 日本
发明人
大野刚;菊池俊彦;守屋真知;斋田喜孝
分类号
H01L21/306;G03F7/42
主分类号
H01L21/306
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址
日本
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