奈米碳材的制备方法

摘要

本发明系有关一种经由热裂解(Thermal)或电浆辅助(Plasma－enhanced)化学气相沉积法(CVD)成长奈米碳材之方法。本发明方法包含将一矽基材浸于一含有铁、钴或镍离子的溶液，在该矽基材表面产生置换反应沉积铁、钴或镍微粒；再浸于一含有贵金属离子的溶液，藉由置换反应使部份的铁、钴或镍金属为贵金属所置换，形成复合金属微粒触媒。本发明方法可在大面积矽基材表面制备复合金属触媒，并在其上低温(约400℃)成长奈米碳材。