| 摘要 |
<p>본 발명에 따른 수직 정렬된 탄소나노튜브의 제조방법은 a) 기판 상부에 산화막을 형성하고, 상기 산화막 상부에 포토레지스트층을 형성하는 단계; b) 일 면에 일정 형상으로 돌출된 다수개의 돌출부가 서로 이격 배열된 몰드와 상기 포토레지스트층을 압착하여, 상기 몰드의 돌출부에 의해 압축된 제1영역 및 상기 몰드의 돌출부 이외의 영역에 의해 압축된 제2영역을 갖는 압축 성형된 포토레지스트층을 제조하는 단계; c) 반응성 이온 식각(RIE; Reactive Ion Etching)을 이용하여 상기 제1영역의 포토레지스트를 제거하여 제1영역 하부에 위치한 산화막을 노출하고, 노출된 상기 산화막을 식각하여 표면에 기판을 노출하는 단계; d) 상기 제2영역을 포함한 포토레지스트 상부 및 상기 제1영역과 제1영역 하부에 위치한 산화막의 제거에 의해 노출된 기판 상에 촉매금속을 증착하는 단계; e) 리프트-오프(lift-off)를 이용하여 상기 제2영역을 포함한 포토레지스트층을 제거하여, 상기 제2영역 하부에 위치한 산화막에 의해 둘러싸여 격리된 다수개의 촉매금속 닷(dot)으로 이루어진 촉매금속 패턴을 형성하는 단계; f) 플라즈마 증강 화학증착(PECVD; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 상기 촉매금속 닷(dot)에 탄소나노튜브를 형성하는 단계; 및 g) 상기 촉매금속 닷(dot)을 둘러싸는 산화막을 제거하는 단계;를 포함하여 수행되는 특징이 있다.</p> |
