Semiconductor device and method for forming the same
摘要
<p>본 발명의 반도체 소자는 활성영역 상에 구비된 게이트와, 상기 게이트가 노출되도록 구비된 펀치 영역과, 상기 펀치 영역에 매립된 절연막과, 상기 절연막 상부에 형성되고 비트라인과 연결되는 금속 콘택플러그를 포함하여, 펀치 현상이 유발되어도 금속 콘택플러그와 게이트가 쇼트되는 문제를 해결하여 반도체 소자의 특성을 향상시키고, 불량을 방지하여 수율을 개선할 수 있는 효과를 제공한다.</p>
