| 发明名称 |
METHOD FOR CHANGING THE EMISSION WAVELENGTH OF MULTI-LAYERED SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS |
| 摘要 |
<p>본 발명은 띠간격이 교차하는 반도체 계면을 하나 이상 갖는 다층구조이고 표면에 전하가 도입된 반도체 나노결정 및 그를 포함하는 광소자에 관한 것으로, 본 발명의 반도체 나노결정은 표면에 전하가 도입되어 전기장 인가시 발광파장의 가역적인 변화가 일어나고 높은 광자발광효율을 나타내므로 각종 광소자에 적용될 수 있다.</p> |
| 申请公布号 |
KR101151079(B1) |
申请公布日期 |
2012.06.01 |
| 申请号 |
KR20110028890 |
申请日期 |
2011.03.30 |
| 申请人 |
|
发明人 |
|
| 分类号 |
B82B3/00;B82Y20/00;H01L33/00 |
主分类号 |
B82B3/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
