| 摘要 |
<p>본 발명은 「질소 산화물발광재료, 그 제조방법 및 응용」에 관한 것으로 반도체(semiconductor)분야에 속한다. 화학식은 ABON:R으로서 그 중의 A는Be, Mg，Ca，Sr，Ba，Zn 중의 한가지 혹은 몇가지이며 B는 Si，Ge，Zr,Ti, B，Al，Ga，In，Li, Na중의 한가지 혹은 몇가지이고 적어도Si를 포함해야 한다. 본 발광재료는 화학적 성질이 안정적이며 발광성능이 좋으며 자외선혹은 남색 빛 LED로 여기될수 있는, 백광 LED용 질소 산화물의 남녹색에서 적색사이의 발광재료로서, 그 여기 파장은 300나노미터--500나노미터, 발광파장은 470나노미터--700나노미터이며 본 발광재료는 남색 LED나 자외선혹은 니어유브이(near ultraviolet) LED와 배합해서 백광 LED 조명이나 시현광원으로 만들수 있다.</p> |
