发明名称 PHASE CHANGE MEMORY DEVICE
摘要 <p>본 발명은 하나 이상의 단위 셀을 포함하는 셀 어레이, 단위 셀에 저장된 데이터를 센싱하는 전류 센싱부, 및 전류 센싱부에 전원 전압을 공급하는 전원 생성 회로를 포함하고, 전원 생성 회로는 전류 센싱부가 센싱 동작을 수행하는 동안 활성화되는 것을 특징으로 하는 상 변화 메모리 장치를 제공한다.</p>
申请公布号 KR101150592(B1) 申请公布日期 2012.06.01
申请号 KR20100049658 申请日期 2010.05.27
申请人 发明人
分类号 G11C5/14;G11C13/02;G11C16/30 主分类号 G11C5/14
代理机构 代理人
主权项
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