| 摘要 |
<p>대용량의 불휘발성 메모리의 액세스 시간과 랜덤 액세스 메모리의 액세스 시간과의 정합을 도모하여, 대용량 불휘발성 메모리를 포함하는 반도체 기억 장치를 제공한다. 제1 판독 시간을 갖는 불휘발성 메모리 FLASH와, 상기 제1 판독 시간보다 100배 이상 판독 시간이 짧은 제2 판독 시간을 갖는 랜덤 액세스 메모리 DRAM과, FLASH 및 DRAM에 결합되고, 이들에 대한 액세스를 제어하기 위한 제어 회로를 포함하는 회로와, 상기 회로에 결합된 복수의 입출력 단자를 포함하도록 반도체 기억 장치를 구성한다. FLASH 데이터를 DRAM으로 전송하여 DRAM에 액세스를 행함으로써, 액세스 시간의 정합을 도모할 수 있다. DRAM으로부터 FLASH로는 적시에 재기입을 행하여 데이터의 정합 및 보존을 도모한다.</p> |
