| 摘要 |
<p>Un procédé de transfert d'une couche (4) d'un substrat donneur (1) sur un substrat receveur (10) comprend une première étape d'implantation ionique d'au moins une espèce (31) dans le substrat donneur (1) formant, à une première profondeur déterminée (P3) dans le substrat donneur, une couche de concentration (3) de l'espèce destinée à former des microcavités ou platelets, une étape de collage de la face (7) du substrat donneur (1) avec une face (8) du substrat receveur (10) par adhésion moléculaire, et une étape de détachement à haute température pour détacher la couche (4) en contact avec le substrat receveur (10) par clivage, à une température de clivage déterminée, au niveau de la couche de microcavités ou platelets formée dans le substrat donneur (1). Le procédé comprend en outre, après la première étape d'implantation et avant l'étape de détachement, une deuxième étape d'implantation ionique dans le substrat donneur (1) d'ions de silicium (61), formant, à une deuxième profondeur déterminée (P6) dans le substrat donneur (1), une couche de concentration (6) en ions de silicium (61), ladite couche de concentration (6) en ions de silicium recouvrant au moins partiellement la couche de concentration (3) de l'espèce destinée à former des microcavités ou platelets.</p> |
