Verfahren zur tiegelfreien Schmelzzonenbehandlung eines Stabes aus kristallinem Halbleitermaterial, Induktionsheizspulenanordnung zur Durchführung des Verfahrens und nach diesem Verfahren hergestellter Siliciumstab,申请号CH19640000110-传众专利搜索

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发明名称	Verfahren zur tiegelfreien Schmelzzonenbehandlung eines Stabes aus kristallinem Halbleitermaterial, Induktionsheizspulenanordnung zur Durchführung des Verfahrens und nach diesem Verfahren hergestellter Siliciumstab
摘要
申请公布号	CH421911(A)	申请公布日期	1966.10.15
申请号	CH19640000110	申请日期	1964.01.07
申请人	DOW CORNING CORPORATION	发明人	R. CROSBY,LLOYD;M. STEWART,HERBERT
分类号	C30B13/20;H05B6/30	主分类号	C30B13/20
代理机构		代理人
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