Halbleitervorrichtung, Herstellungsverfahren dafür und Halbleitergehäuse mit dieser Halbleitervorrichtung

摘要

In einer Ausführungsform weist eine Halbleitervorrichtung (1, 2) ein Halbleitersubstrat (10) auf, welches eine erste Oberfläche (11) und eine zweite Oberfläche (12) gegenüber der ersten Oberfläche (11) hat. Die zweite Oberfläche (12) definiert einen Umverdrahtungsgraben (102, 103). Das Substrat (10) hat ein Durchgangsloch (16), welches sich dahin durch erstreckt. Die Halbleitervorrichtung (1, 2) weist auch eine Durchkontaktierung (23) auf, welche in dem Durchgangsloch (16) angeordnet ist. Die Durchkontaktierung (23) kann eine Durchgangsloch-Isolierschicht (22) und einen Sperrschicht (24) aufweisen, welche nacheinanderfolgend an einer inneren Wand (17) des Durchgangslochs (16) gebildet werden. Die Durchkontaktierung (23) kann weiter einen leitfähigen Verbinder (26) benachbart zu der Sperrschicht (24) aufweisen. Die Halbleitervorrichtung (1, 2) weist zusätzlich ein Isolierschichtmuster (35) auf, welches auf der zweiten Oberfläche (12) des Substrats (10) gebildet ist. Das Isolierschichtmuster (35) definiert eine Öffnung (33), welche einen Bereich einer oberen Oberfläche der Durchkontaktierung (23) freilegt. Die Halbleitervorrichtungen (1, 2) schließen eine Umverdrahtungsschicht (45) ein, welche in dem Graben (102, 103) angeordnet ist und elektrisch mit der Durchkontaktierung (23) verbunden ist. Das Isolierschichtmuster (35) überlappt einen Bereich des leitfähigen Verbinders (26).