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Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat, sowie eine untere Elektrode mit einer ersten Schicht in Kontakt mit einer unteren Oberfläche des Halbleitersubstrates, eine zweite Schicht in Kontakt mit einer unteren Oberfläche der ersten Schicht, und eine dritte Schicht, die an einer von dem Halbleitersubstrat weiter entfernten Position als die zweite Schicht gestapelt ist, wobei die erste Schicht eine Silizium enthaltende Aluminiumschicht ist, die zweite Schicht eine Silizium als Hauptbestandteil beinhaltende Schicht ist, und die dritte Schicht eine Lötmittelverbindungsschicht ist. Die zweite Schicht mit Silizium als dem Hauptbestandteil führt der ersten Schicht Silizium zu, und isoliert gleichzeitig die erste Schicht von einer auf einer oberen Seite der ersten Schicht bereitgestellten Elektrodenschicht. Folglich kann eine Abnahme in der Siliziumkonzentration der ersten Schicht in der Umgebung einer Kontaktgrenzfläche zwischen dem Halbleitersubstrat unterdrückt werden, und eine Aluminiumspitzenausbildung kann bei einem Lötmittelrückflussschritt unterdrückt werden.
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