| 摘要 |
Bei der Herstellung einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung mit einem Abschlussbereich, der ein JTE-Bereich oder FLR ist, wird die Toleranz des Ausmaßes des Ätzens zum Entfernen einer Beschädigungsschicht, die in der Oberfläche des Abschlussbereichs gebildet wird, vergrößert. Eine Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung weist einen Abschlussbereich, der ein JTE-Bereich (Übergangsabschlusserweiterungsbereich) (11) oder ein FLR (Feldbegrenzungsring) (13) ist, an einem Abschluss der Halbleiterelemente auf. Der Abschlussbereich wird durch einen einzigen Schritt zur Ionenimplantation ausgebildet, bei der die Art von Störstelle und die Implantationsenergie fest sind. Im Störstellenkonzentrationsprofil des Abschlussbereichs in der Tiefenrichtung liegt die Konzentrationsspitze in der flachsten Position an einer Position, die in Bezug auf die Oberfläche tiefer als 0,35μm ist, während die Konzentration im Oberflächenabschnitt nicht mehr als ein Zehntel der flachsten Konzentrationsspitze beträgt. |
