Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Halbleiterbauelement (100), umfassend ein Substrat (10) von einem ersten Leitungstyp (n) mit einer ersten Hauptoberfläche (15) des Halbleiterbauelements, eine Halbleiterschicht (20) vom ersten Leitungstyp, die auf dem Substrat (10) angeordnet ist und eine zweite Hauptoberfläche (25) des Halbleiterbauelements umfaßt, einen ersten Anschluß (D), der an der ersten Hauptoberfläche (15) des Halbleiterbauelements angeordnet ist, einen zweiten Anschluß (S), der an der zweiten Hauptoberfläche (25) des Halbleiterbauelements angeordnet ist, ein Bodygebiet (30) von einem zum ersten Leitungstyp (n) entgegengesetzten zweiten Leitungstyp (p), das an die zweite Hauptoberfläche (25) angrenzt und zwischen dem ersten und dem zweiten Anschluß (D, S) angeordnet ist, und zumindest ein von der zweiten Hauptoberfläche (25) in Richtung des Substrats (10) verlaufendes Kompensationsgebiet (40) vom zweiten Leitungstyp (p), wobei zumindest ein Bereich (21) der Halbleiterschicht (20) zumindest ein Schwermetall mit einer Konzentration von mindestens 1·1010 cm–3 aufweist, wobei die Halbleiterschicht...