Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats

摘要

Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats, umfassend: (a) einen Schritt des Züchtens eines ersten epitaktischen Films (61) auf der Oberfläche eines Substratkörpers (63); (b) einen Schritt des teilweisen Ätzens des ersten epitaktischen Films (61) zur Bildung einer Vielzahl von ersten Gräben (64) mit einer Tiefe B und einer Breite A; (c) einen Schritt des Züchtens eines zweiten epitaktischen Films (62) im gesamten Innenraum der Vielzahl der ersten Gräben (64) und auf der Oberfläche des ersten epitaktischen Films (61) mit Ausnahme der Vielzahl der ersten Gräben (64); (d) einen Schritt des Polierens des zweiten epitaktischen Films (62) zum Exponieren der Oberfläche des ersten epitaktischen Films (61) und Einebnen der oberen Seite des zweiten epitaktischen Films (62), vergraben im gesamten Inneren der Vielzahl der ersten Gräben (64); (e) einen Schritt des weiteren Züchtens eines dritten epitaktischen Films (66) mit derselben Zusammensetzung wie derjenigen des ersten epitaktischen Films...