摘要 |
Thyristorschaltung mit – einem Anodenanschluss (A), einem Kathodenanschluss (K), einem ersten Gateanschluss (G1) und einem zweiten Gateanschluss (G2), – einem rückgekoppelten komplementären Transistorpaar mit einem pnp-Transistor (PNP) und einem npn-Transistor (NPN), wobei die Basis des pnp-Transistors mit dem Kollektor des npn-Transistors, der Emitter des pnp-Transistors mit dem Anodenanschluss (A), die Basis des npn-Transistors mit dem Kollektor des pnp-Transistors und dem ersten Gateanschluss (G1) und der Emitter des npn-Transistors mit dem Kathodenanschluss (K) verbunden ist, – einer ersten Vorschaltdiode (D1), deren Anode mit dem Emitter des pnp-Transistors und deren Kathode mit der Basis des pnp-Transistors verbunden ist, – einer zweiten Vorschaltdiode (D2), deren Anode mit der Basis des npn-Transistors und deren Kathode mit dem Emitter des npn-Transistors verbunden ist, – einem ersten npn-Lösch-Transistor (NPNL), dessen Basis mit dem zweiten Gateanschluss (G2), dessen Emitter mit dem Emitter des npn-Transistors und dessen Kollektor mit der Basis des npn-Transistors...
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