| 发明名称 | 碳化硅衬底的制造方法、半导体器件的制造方法、碳化硅衬底和半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造碳化硅衬底的方法，其能够降低使用碳化硅衬底的半导体器件的制造成本。所述过程包括如下步骤：提供包括单晶碳化硅的SiC衬底(20)；将SiC衬底(20)放置在容器(70)中，并且将基底衬底(10)放置在容器(70)中，使得基底衬底(10)面对所述SiC衬底(20)的一个主面(20B)；以及将在容器(70)中所述基底衬底(10)加热至大于或等于构成所述基底衬底(10)的碳化硅的升华温度的温度范围，以由此形成包括碳化硅的基底层(10)，使得基底衬底(10)接触所述SiC衬底(20)的一个主面(20B)。在形成基底层(10)的步骤中，与所述SiC衬底(20)和所述基底衬底(10)不同的、包括含有硅的物质的硅产生源(91)放置在所述容器(70)中。 | ||
| 申请公布号 | CN102484044A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201180003376.2 | 申请日期 | 2011.02.25 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 西口太郎;原田真;井上博挥;佐佐木信 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 韩峰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种制造碳化硅衬底(1)的方法，包括如下步骤：准备由单晶碳化硅制成的SiC衬底(20)，将碳化硅源(10，11)布置在容器(70)中，以使其面对所述SiC衬底(20)的一个主面(20B)，以及通过将所述容器(70)中的所述碳化硅源(10，11)加热至大于或等于构成所述碳化硅源(10，11)的碳化硅的升华温度的温度范围，来形成由碳化硅制成的基底层(10)以接触所述SiC衬底(20)的一个主面(20B)，在形成基底层(10)的所述步骤中，除了所述SiC衬底(20)和所述碳化硅源(10，11)之外，还将由包含硅的物质制成的硅产生源(91)布置在所述容器(70)中。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||