发明名称 具有高、低温非晶硅本质层的高光电转换效率太阳能电池
摘要 本发明是关于一种具有高、低温非晶硅本质层的高光电转换效率太阳能电池,其包括透明基板、第一与第二电极、红外光转换层以及依序配置于第一电极与第二电极之间的第一n型半导体层、高温非晶硅本质层、第一p型半导体层、第二n型半导体层、低温非晶硅本质层与第二p型半导体层;第一n型半导体层位于高温非晶硅本质层与第二电极之间;红外光转换层配置于第一n型半导体层与第二电极之间或第二p型半导体层与第一电极之间,用以将红外光转换为可见光。
申请公布号 CN102479836A 申请公布日期 2012.05.30
申请号 CN201010562911.5 申请日期 2010.11.24
申请人 吉富新能源科技(上海)有限公司 发明人 张一熙;梅长锜;刘吉人
分类号 H01L31/04(2006.01)I;H01L31/055(2006.01)I;H01L31/076(2012.01)I;H01L31/0256(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I 主分类号 H01L31/04(2006.01)I
代理机构 北京市维诗律师事务所 11393 代理人 杨安进
主权项 一种具有高、低温非晶硅本质层的高光电转换效率太阳能电池,其特征在于包括:一透明基板;一第一电极,配置于该透明基板上;一第二电极,配置于该第一电极与该透明基板之间;一第一n型半导体层、一高温非晶硅本质层、一第一p型半导体层、一第二n型半导体层、一低温非晶硅本质层与一第二p型半导体层,依序配置于该第一电极与该第二电极之间,且该第一n型半导体层位于该高温非晶硅本质层与该第二电极之间;以及一红外光转换层,配置于该第一n型半导体层与该第二电极之间或该第二p型半导体层与该第一电极之间,用以将红外光转换为一可见光。
地址 201707 上海市青浦区北青公路8228号三区8号4幢