用于制造半导体薄片的装置和利用分子束通过蒸发来沉积材料的装置

摘要

本发明涉及利用分子束通过蒸发来沉积材料的装置(6)和用于制造半导体薄片的装置，所述装置包括传送模块(2)，所述传送模块(2)具有多个侧部端口(3)并能够在高于10-8托的真空压力条件下运行。半导体薄片制造装置包括在高于10-8托的真空压力条件下运行的装载模块(5)和一个或多个基片处理模块(7)，每个处理模块(7)连接至传送模块(2)的端口(3)之一。根据本发明，制造装置包括至少一个利用分子束通过蒸发来沉积材料的模块(6)，所述分子束沉积模块(6)在低于10-8托的真空压力条件下运行并且连接至传送模块(2)的端口(3)之一，并能够接纳所述基片(1)以将一层材料沉积在基片(1)的待处理面(A)上。

主权项

一种用于制造半导体薄片的装置，每个半导体薄片包括覆盖有至少一层材料的基片(1)，所述基片(1)包括待处理面(A)和不处理面(B)，所述制造装置包括：●中央传送模块(2)，所述模块(2)包括多个侧部端口(3)和可将所述基片(1)从一个侧部端口(3)传送至另一侧部端口的传送装置(4)，所述中央传送模块(2)能够在高于10‑8托的真空压力条件下运行；●连接至中央传送模块(2)的一个或多个端口(3)的装载模块(5)，所述装载模块(5)能够接纳一个或多个基片(1)；以及●用于处理基片并在高于10‑8托的真空压力条件下运行的一个或多个处理模块(7)，每个处理模块(7)连接至中央传送模块(2)的端口(3)之一并能够接纳所述基片(1)以便在基片(1)的待处理面(A)上执行处理操作，所述基片处理模块(7)的至少一个包括用于沉积材料的系统；其特征在于，所述装置包括：●至少一个利用分子束通过蒸发来沉积材料的分子束沉积模块(6)，所述分子束沉积模块(6)在低于10‑8托的真空压力条件下运行，所述分子束沉积模块(6)连接至中央传送模块(2)的端口(3)之一并能够接纳所述基片(1)从而在基片(1)的待处理面(A)上沉积一层材料。