氮化物非易失只读存储器

摘要

本发明公开了一种氮化物非易失只读存储器，包括：硅基底，在硅基底的上表面嵌入等间距均匀分布的位线，位线之间的硅基底上表面等间距分布字线；相邻位线以及所述相邻位线之间所夹的字线组成MOS晶体管，所述相邻位线分别作为源极和漏极，所述字线自上而下包括多晶硅层、上氧化物层、氮化物层和下氧化物层，所述上氧化物层、氮化物层和下氧化物层作为MOS晶体管的栅极介质层；以依次相邻的N个位线为一个位线组，相邻位线组之间设置隔离字线，所述隔离字线的宽度大于组内字线的宽度。本发明的氮化物非易失只读存储器中取消了浅沟槽隔离区，从而避免了浅沟槽隔离区可能带来的负面影响，提高了氮化物非易失只读存储器的成品率。

主权项

一种氮化物非易失只读存储器，包括：硅基底，所述硅基底中无浅沟槽隔离区；在硅基底的上表面嵌入等间距均匀分布的位线，位线之间的硅基底上表面等间距分布字线；相邻位线以及所述相邻位线之间所夹的字线组成MOS晶体管，所述相邻位线分别作为源极和漏极，所述字线自上而下包括多晶硅层、上氧化物层、氮化物层和下氧化物层，所述上氧化物层、氮化物层和下氧化物层作为MOS晶体管的栅极介质层；其特征在于，以依次相邻的N个位线为一个位线组，相邻位线组之间设置隔离字线，所述隔离字线的宽度大于或等于现有的两个字线以及这两个字线之间的间隔的总宽度，所述N为自然数。