发明名称 TFT阵列面板、包含它的液晶显示器及TFT阵列面板制造方法
摘要 公开了一种有效地使光泄漏电流最小化的薄膜晶体管(TFT)阵列面板以及包括它的液晶显示器。该面板包括晶体管结构,晶体管结构具有:栅电极,形成在绝缘基板之上;半导体层,形成在栅电极之上并与之绝缘;光阻挡层,形成在栅电极的周围并且与一部分栅电极重叠;数据线,与栅极线相交,以形成源电极,源电极与一部分半导体层重叠;漏电极,与源电极相对,并且与一部分半导体层重叠,该面板还包括象素电极,象素电极形成在晶体管结构之上并与之绝缘,且与漏电极电连接。
申请公布号 CN1858911B 申请公布日期 2012.05.30
申请号 CN200610079452.9 申请日期 2006.04.29
申请人 三星电子株式会社 发明人 朴镕汉;全珍
分类号 H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I 主分类号 H01L27/12(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 戎志敏
主权项 一种薄膜晶体管TFT阵列面板,包括:晶体管结构,具有栅极线和与栅极线相交的数据线,该晶体管结构包括:栅电极,在绝缘基板之上由栅极线形成,栅极绝缘层,形成在栅电极和绝缘基板之上,半导体层,直接在栅极绝缘层上形成并与栅电极重叠,光阻挡层,形成在栅电极的周围并且与至少一部分栅电极重叠,该光阻挡层直接在栅极绝缘层上形成,源电极,由数据线形成,并与至少一部分半导体层重叠,以及漏电极,与源电极关于栅电极相对,并且与至少一部分半导体层重叠,以及象素电极,形成在晶体管结构之上并与之绝缘,且与漏电极电连接。
地址 韩国京畿道