金属凸块结构及其应用于封装结构

摘要

一种金属凸块结构及其应用于封装结构，是于金属凸块四周设计有阻障层(dam structure)，且阻障层的高度超出金属凸块的高度，而可于覆晶接合制程中，借由阻障层的阻挡限制各向异性导电层(ACF)中导电粒子的流动，再者，由于阻障层为高分子材料，其热阻高于金属凸块，将使得各向异性导电层产生流动性差异，进而减少导电粒子的流失，及提高导电粒子的捕捉率。

主权项

一种封装结构，包含：一第一基板，具有一第一连接垫与一第一保护层，该第一保护层是形成于该第一连接垫周围；一凸块底部金属层，形成于该第一连接垫上；一金属凸块，形成于该凸块底部金属层上；一高分子材料的阻障层，形成于该第一保护层上并完整环绕于该金属凸块的周围，且该阻障层的高度超出该金属凸块的高度，阻障层围绕金属凸块形成一半封闭空间，一第二基板，具有一第二连接垫与一第二保护层，该第二保护层形成于该第二连接垫周围；以及一各向异性导电层，是散布有多个导电粒子，形成于该第一基板与该第二基板之间，于该第一基板与该第二基板接合期间，所述阻障层顶抵于所述第二连接垫周围的第二保护层，使该半封闭空间密闭于该第二基板。