可控制备多形貌铜-四氰基对苯醌二甲烷纳米结构的方法

摘要

本发明涉及控制温度变化速率在真空中可控制备多形貌铜-四氰基对苯醌二甲烷(Cu-TCNQ)纳米结构的方法。本发明在真空条件下利用有机气固相反应，利用不同的升温速率在真空条件下合成了多形貌的铜-四氰基对苯醌二甲烷纳米结构阵列材料，实现了纳米结构材料的可控生长，能调节纳米结构材料的直径，可以获得纳米棒、纳米线，并且可以控制纳米结构材料顶端的形貌。本发明的方法操作简单、安全、成本低、反应时间短，适于大规模生产多形貌的铜-四氰基对苯醌二甲烷纳米结构阵列材料。得到的纳米材料可广泛用于场发射平面显示、光电开关、传感器等方面。

主权项

一种可控制备多形貌铜‑四氰基对苯醌二甲烷纳米结构的方法，其特征是：将四氰基对苯醌二甲烷粉末和铜片装入石英管的不同位置后放置于管式炉中，通过真空泵抽真空保持石英管内真空，然后加热管式炉由室温升温到200～250℃，使四氰基对苯醌二甲烷粉末升温到200～250℃，同时使铜片升温到110～130℃后停止加热反应，加热反应时间是5～15分钟，然后冷却，即在铜基片上得到铜‑四氰基对苯醌二甲烷纳米结构；真空条件是气压保持在0.1～5Pa。