| 发明名称 | 一种硅片外吸杂方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅片外吸杂方法，包括以下步骤：将铟源涂布在硅片表面，在氧气气氛下，将硅片放入常规热处理炉或快速热处理炉中保温一段时间，冷却至室温，在氢氟酸中浸泡以去除表面玻璃层；其中，所述的保温温度为700℃-1000℃，在所述的常规热处理炉保温的时间为30-120分钟，在所述的快速热处理炉保温的时间为1-10分钟。本发明方法操作简单、成本低廉，且吸杂效果非常好。 | ||
| 申请公布号 | CN102142359B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201010584771.1 | 申请日期 | 2010.12.13 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 余学功;肖承全;杨德仁 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 胡红娟 |
| 主权项 | 一种硅片外吸杂方法，其特征在于，包括以下步骤：将铟源涂布在硅片表面，在氧气气氛下，将硅片放入常规热处理炉或快速热处理炉中保温一段时间，冷却至室温，在氢氟酸中浸泡以去除表面玻璃层；所述的铟源为InCl3溶液、In2(SO4)3溶液或In(NO3)3溶液，所述的铟源的浓度为0.01mol/L‑0.05mol/L；其中，所述的保温温度为700℃‑1000℃，在所述的常规热处理炉保温的时间为30‑120分钟，在所述的快速热处理炉保温的时间为1‑10分钟。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||