| 发明名称 | SOQ基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种非常适合于半导体装置的工艺的SOQ基板及其制造方法。本发明的手段为：将氢离子注入单结晶硅基板10的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)11。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面12。贴合此单结晶硅基板10和含有碳浓度100ppm以上的石英基板20，并对注入损伤层11附近赋予外部冲击，将贴合基板沿着单结晶硅基板10的氢离子注入界面12，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜13的表面，进行研磨等，除去损伤，而得到SOQ基板。 | ||
| 申请公布号 | CN101179054B | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN200710170066.5 | 申请日期 | 2007.11.09 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 秋山昌次;久保田芳宏;伊藤厚雄;田中好一;川合信;飞坂优二 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 一种SOQ基板，其在石英基板上具有单结晶硅薄膜，其中，上述石英基板的碳浓度为100ppm以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||