| 发明名称 | 监控栅槽刻蚀的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种监控栅槽刻蚀的方法，包括：在制备实际凹栅槽器件的同时，制备至少两个源/漏区结构参数相同的参考凹栅槽器件，至少有两个参考凹栅槽器件的栅长尺寸位于实际凹栅槽器件栅长尺寸的两侧；测试获得至少两个参考凹栅槽器件的转移特性；通过至少两个参考凹栅槽器件的转移特性，判断实际凹栅槽器件的栅槽刻蚀情况。通过本发明提供的方法，能可靠地获得实际凹栅槽器件的是否进行了有效刻蚀，并且本次刻蚀的结果可以作为下次刻蚀的依据。 | ||
| 申请公布号 | CN102479732A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201010574009.5 | 申请日期 | 2010.11.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 魏珂;郑英奎;刘新宇;刘果果;彭明曾 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;G01B7/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种监控栅槽刻蚀的方法，其特征在于，包括：在制备实际凹栅槽器件的同时，制备至少两个源/漏区结构参数相同的参考凹栅槽器件，所述至少两个参考凹栅槽器件的栅长尺寸位于所述实际凹栅槽器件栅长尺寸的两侧；测试获得所述至少两个参考凹栅槽器件的转移特性；通过所述至少两个参考凹栅槽器件的转移特性，判断所述实际凹栅槽器件的栅槽刻蚀情况。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||