| 发明名称 | 用于集成电路的衬底及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于集成电路的衬底及其形成方法。该方法包括：在体硅材料上形成硬掩膜层；蚀刻该硬掩膜层以及该体硅材料以形成至少一个沟槽的第一部分，该第一部分用于实现浅沟槽隔离；在所述沟槽的侧壁上形成电介质膜；进一步蚀刻所述体硅材料，使得所述沟槽加深从而形成所述沟槽的第二部分；完全氧化或氮化所述沟槽的第二部分之间以及所述沟槽的第二部分与所述体硅材料的外侧之间的所述体硅材料的部分；在所述沟槽的第一及第二部分中填充介电材料；以及除去所述硬掩膜层。 | ||
| 申请公布号 | CN102479742A | 申请公布日期 | 2012.05.30 |
| 申请号 | CN201010574562.9 | 申请日期 | 2010.11.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;梁擎擎;尹海洲;骆志炯 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李娜;王洪斌 |
| 主权项 | 一种制造衬底的方法，该方法包括如下步骤：在体硅材料上形成硬掩膜层；蚀刻该硬掩膜层以及该体硅材料以形成至少一个沟槽的第一部分，该第一部分用于实现浅沟槽隔离；在所述沟槽的侧壁上形成电介质膜；进一步蚀刻所述体硅材料，使得所述沟槽加深从而形成所述沟槽的第二部分；完全氧化或氮化所述沟槽的第二部分之间以及所述沟槽的第二部分与所述体硅材料的外侧之间的所述体硅材料的部分；在所述沟槽的第一及第二部分中填充介电材料；以及除去所述硬掩膜层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||